国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121325317A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括顶硅层，所述顶硅层中形成有第一光栅结构，所述SOI衬底上还形成有覆盖所述SOI衬底和第一光栅结构的覆盖层；第二光栅结构，位于所述覆盖层表面，所述第二光栅结构包括若干第二光栅凸条和第二光栅凹槽，所述若干第二光栅凸条包括具有不同高度的第一光栅条、第二光栅条……至第N光栅条，N为大于等于2的正整数，所述第一光栅条、第二光栅条……至第N光栅条循环排列，每种高度的第二光栅凸条的数量大于等于2。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以形成具有灵活排列结构的具有多种不同高度的光栅条的光栅结构，提高入射光的可选择波长种类，提升带宽。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息513条，此外企业还拥有行政许可125个。

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作者：情报员