国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“带隙基准电路及改善带隙基准电路温度系数的方法”的专利，公开号CN121326092A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种带隙基准电路及改善带隙基准电路温度系数的方法，该带隙基准电路包括：核心电路、负载与偏置电路、双重温度曲率补偿结构以及输出电路。其中，第一、第二、第三双极晶体管的集电极接地；双重温度曲率补偿结构包括用于形成第一补偿路径和第二补偿路径的电阻网络；第一补偿路径被配置为利用第二和第三双极晶体管的温度特性产生第一补偿电流；第二补偿路径被配置为利用第一和第三双极晶体管的温度特性产生第二补偿电流。本发明通过设置双重温度曲率补偿结构，并行地产生两种不同的补偿电流，分别对不同的非线性来源进行校正，最终通过线性叠加实现对整体温度系数的精确补偿，从而能够有效地抑制温度曲率。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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作者：情报员