内存制造商根本无法以足够快的速度生产DRAM。继AI驱动的短缺之后，SK海力士于周二宣布将在韩国新建一座耗资19万亿韩元（约合130亿美元）的先进封装与测试工厂，有望缓解部分供应压力——但这种缓解不会惠及笔记本电脑、手机等消费类产品。

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这家韩国存储巨头公布了新工厂的计划，命名为P&T7，将坐落于韩国忠清北道清州科技城工业园。该工厂预计将于今年4月动工，目标在2027年底完工。

新工厂旨在应对数据中心GPU和AI加速器中广泛使用的高带宽内存（HBM）模块激增的需求。SK海力士预计，从2025年到2030年，HBM需求将以年均33%的速度增长，这在很大程度上是由AI基础设施的极端需求所推动的。

HBM通过堆叠多层DRAM（目前最常见的是8层和12层）来实现更高的容量和带宽，同时降低能耗。然而，这一制造过程极其昂贵：任何一层出现缺陷都可能导致整个模块报废。更糟糕的是，由于最新一代HBM的数据传输速率高达每模块2.75 TB/s，这些芯片通常必须与计算逻辑芯片永久共封装（co-packaged）。这使得容错空间极小——一个有缺陷的HBM模块可能直接导致一块价值5万美元的GPU被废弃。

因此，像SK海力士此次宣布的P&T7这类专业化的封装与测试设施，对于大规模量产HBM至关重要。

P&T7工厂的建设正值SK海力士准备启用其M15X DRAM工厂之际。这座投资20万亿韩元（约135亿美元）的DRAM工厂于2024年宣布建设，专门用于满足不断增长的HBM需求。其洁净室已于去年10月启用，据SK海力士表示，目前设备安装进展顺利。

尽管这一新封装厂对AMD和英伟达等HBM最大采购方来说无疑是好消息，但它几乎无法缓解过去几个月消费者和企业所面临的内存价格飙升问题。虽然HBM过去曾出现在某些消费产品中，但其高昂成本和复杂工艺通常使其难以用于现代客户端设备。

例如，一年前售价不到100美元的DDR5内存套件，如今已普遍涨至300美元以上，因为厂商正深陷DRAM和NAND持续紧缺的困境。

众所周知，受AI基础设施强劲需求推动，DRAM价格在未来几年内预计将维持高位。分析师预测，DRAM价格将在今年晚些时候达到峰值，随后在2027年趋于平稳，并可能在2028年再度上涨。

在消费者“高价买单”的同时，内存厂商正赚得盆满钵满。上周，三星上调了其第四季度业绩预期，预计营业利润将增长逾两倍；而美光和SK海力士的利润也预计将翻一番以上。