国家知识产权局信息显示，厦门格睿电子材料有限公司申请一项名为“一种自修复氮化铝复合静电卡盘及其制备方法”的专利，公开号CN121335476A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种自修复氮化铝复合静电卡盘及其制备方法，属于半导体制造设备技术领域。采用AlN‑SiCw复合材料（SiC晶须含量5‑8vol%）为基体，表面渗透含硼玻璃相（B2O3‑SiO2‑Al2O3）形成自修复层。该静电卡盘在服役过程中，表面因等离子体刻蚀或机械损伤产生微裂纹时，含硼玻璃相可在高温下（>500℃）流动并填充裂纹，实现损伤区域的自我修复，有效提升静电卡盘的使用寿命。

天眼查资料显示，厦门格睿电子材料有限公司，成立于2025年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门格睿电子材料有限公司专利信息3条。

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作者：情报员