国家知识产权局信息显示,江苏微导纳米科技股份有限公司申请一项名为“一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法”的专利,公开号CN121320911A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本发明涉及半导体材料领域,特别涉及一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法。本发明提供的c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法,利用原子层沉积设备,先沉积形成GaO层,再沉积形成ZnO层,然后沉积形成InO层,能够实现精确的层间覆盖,可以在不需要额外工艺处理的条件下,通过控制沉积过程中的工艺参数(如锌源的源瓶温度、引入时间、气体流量及循环次数等),可以精确控制Zn/(In+Ga+Zn)占比,进而提高IGZO的结晶度和电学性能。
天眼查资料显示,江苏微导纳米科技股份有限公司,成立于2015年,位于无锡市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本46115.7283万人民币。通过天眼查大数据分析,江苏微导纳米科技股份有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目54次,财产线索方面有商标信息87条,专利信息584条,此外企业还拥有行政许可69个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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