国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种晶体管器件及其制造方法”的专利，公开号CN121335144A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种晶体管器件，包括：外延结构、形成在外延结构上的栅极；栅极包括P‑GaN栅极层、栅极金属层；所述栅极还包括形成在所述P‑GaN栅极层和所述栅极金属层之间的介质层和形成在所述介质层和所述P‑GaN栅极层之间的中间结构，所述中间结构包括至少一个P型III族氮化物层，所述P型III族氮化物层的禁带宽度大于所述P型GaN栅极层的禁带宽度；所述介质层用于将所述P型III族氮化物层和所述栅极金属层隔离。本申请实施例中P型III族氮化物层可以具有Al组分，P型III族氮化物层的禁带宽度大于P型GaN栅极层的禁带宽度，因此可以增加栅极耐压，增强栅极可靠性。介质层可以隔离P型III族氮化物层与栅极金属层，避免P型III族氮化物层与栅极金属层直接接触带来的界面缺陷，改善界面处的质量。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可7个。

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作者：情报员