国家知识产权局信息显示，中芯京城集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种晶圆键合结构及其形成方法”的专利，公开号CN121335444A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述方法包括：提供第一晶圆结构，所述第一晶圆结构包括第一晶圆和第一键合层；对所述第一键合层的表面进行掺杂离子注入，使所述第一键合层表面形成第二键合层；对所述第二键合层的表面进行氢离子注入，使所述第二键合层的表面形成氢离子层；对所述氢离子层以及第二键合层进行等离子体轰击，以使所述氢离子层和所述第二键合层中形成所述掺杂离子的悬挂键；提供羟基源，使所述悬挂键表面吸附羟基；将两个第一晶圆结构中的氢离子层对准，并进行预键合；进行第二退火处理，实现两个第一晶圆结构的键合。所述键合方法提高了键合强度。

天眼查资料显示，中芯京城集成电路制造（北京）有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯京城集成电路制造（北京）有限公司参与招投标项目45次，专利信息26条，此外企业还拥有行政许可246个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

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作者：情报员