国家知识产权局信息显示，华羿微电子股份有限公司申请一项名为“屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法”的专利，公开号CN121335170A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法，本方案通过在终端区采用一组特殊的外围沟槽阵列，在这个特殊的外围沟槽阵列的底部通过一次性P‑型离子注入，并在随后的器件制造热工艺的条件下对该P‑型注入的离子进行驱动，以达到预期均匀的结深，实现了缓解器件终端区域横向电场，获得了预期的击穿电压；并且，通过外围沟槽阵列的各沟槽间距不大于3.1um，使得最终得到的目标终端结构具有更小的终端尺寸，节省芯片面积；另外，该制造工艺与现有的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的工艺兼容，且工艺简单，制造成本低。

天眼查资料显示，华羿微电子股份有限公司，成立于2017年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41509.5832万人民币。通过天眼查大数据分析，华羿微电子股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息230条，此外企业还拥有行政许可31个。

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作者：情报员