国家知识产权局信息显示，昆明学院申请一项名为“一种分离高铼酸根离子的磁性印迹聚合物及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121319367A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种分离高铼酸根离子的磁性印迹聚合物及其制备方法和应用,属于湿法冶金领域。该方法首先制备得到Fe3O4@SiO2磁球，然后通过多巴胺自聚合并与模板离子高铼酸根结合，在磁球表面形成聚多巴胺(PDA)层，再利用二硫化碳对PDA层进行修饰引入二硫代氨基甲酸酯基团，最后洗脱模板离子，得到对高铼酸根离子具有特异性识别位点的磁性表面离子印迹聚合物。本发明制备方法简单，通过引入二硫代氨基甲酸酯基团，增加了功能基团密度，同时保留了PDA的粘附性和生物相容性；所得印迹聚合物对高铼酸根离子具有高选择性和高吸附容量，在外加磁场下能快速分离，且重复使用性能良好，可应用于复杂体系中高铼酸根离子的选择性分离与富集。

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作者：情报员