国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“一种光刻机垂向参数补偿方法及系统”的专利，公开号CN121348662A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请公开了一种光刻机垂向参数补偿方法及系统，属于半导体领域，该方法包括：在对产品各个曝光场进行曝光前，获取各个曝光场的垂向面型；对各个曝光场的垂向面型进行拟合，得到各个曝光场的垂向参数实际值；垂向参数实际值包括Z向高度实际值、绕X向倾斜实际值和绕Y向倾斜实际值；根据各个曝光场的垂向参数实际值，得到各个曝光场的垂向参数补偿值；垂向参数补偿值包括Z向高度补偿值、和/或绕X向倾斜补偿值、和/或绕Y向倾斜补偿值；在对各个曝光场进行曝光时，根据各个曝光场的垂向参数补偿值，对各个曝光场的垂向参数进行补偿。本申请可以补偿逐场Z向高度值的差异，可以方便地获取逐场绕X向倾斜值和绕Y向倾斜值的差异，并进行补偿。

天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目79次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息584条，此外企业还拥有行政许可211个。

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作者：情报员