国家知识产权局信息显示，山东国镓晶谷半导体科技有限公司申请一项名为“一种导模法氧化镓单晶生长的测温及观察结构”的专利，公开号CN121344753A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种导模法氧化镓单晶生长的测温及观察结构，属于氧化镓制备技术领域，包括主炉体、提拉组件、反射组件、监测组件、冷却组件和电控组件，反射组件通过活动框架随籽晶同步升降，反射阵列始终位于晶体对侧，实现晶体背面连续反射成像，保证每个反射单元依次成像且图像稳定，通过可升降的反射阵列配合外置的监测组件，实现了对氧化镓单晶生长过程的多角度可视化稳定监控；无需在炉体上开设多个观察窗，避免了因热泄漏导致的温场扰动和界面变形问题，本发明具有装配简便、结构稳定、热隔离性能优良等特点，可提升导模法氧化镓单晶的成晶质量与成品率。

天眼查资料显示，山东国镓晶谷半导体科技有限公司，成立于2021年，位于济南市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，山东国镓晶谷半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息14条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员