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LED厂富采(3714)今天表示,为了加速Micro LED于扩增实境(AR)等更多高整合型显示器应用领域的发展,公司拍板携手德商ALLOS Semiconductors缔结策略合作,共同推动8吋硅基氮化镓LED磊芯片(GaN-on-Si LED epitaxial wafer)量产, 也是替后续迈向12寸硅基氮化镓LED磊晶技术铺路。

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富采表示,公司目前拥有全球领先的高阶LED磊晶制造技术与产能,ALLOS则具备业界顶尖的硅基氮化镓磊晶技术,此次合作象征Micro LED产业供应链迈向更加成熟的重要里程碑。 结合富采在LED结构上的深厚技术,以及ALLOS硅基氮化镓缓冲结构技术,新品亮度与能效可媲美传统蓝宝石基板成长的氮化镓LED(GaN-on-sapphire)。

此外,富采更看好双方打造的Micro LED更有利于扩大至8寸以上,大幅提升单片产出面积与制程效率,其超小像素间距可满足近眼显示的高解析需求,并具备高度硅晶圆制程兼容性与量产可行性。 未来目标推展至12寸产品,以因应市场对更大尺寸晶圆的需求、加速Micro LED普及化。

富采光电元件事业本部总经理唐修穆说,这项合作将提供具高度竞争力的硅基氮化镓Micro LED解决方案,并建立可扩展、与硅晶圆厂制程高度兼容的量产途径。 公司藉由与ALLOS形成战略联盟,得以同步布局8寸 硅基氮化镓Micro LED磊晶技术,为快速成长的Micro LED产业提供更完整的价值链与解决方案。

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