国家知识产权局信息显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司申请一项名为“基于快速响应气体控制的VOx薄膜稳态生长进气装置”的专利，公开号CN121344547A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及溅射镀膜技术领域，具体涉及一种基于快速响应气体控制的VOx薄膜稳态生长进气装置，用于将反应气体注入VOx薄膜溅射系统中的反应腔体，反应腔体内设有基座和设置在基座内部的加热器，该进气装置包括：反应气体输送通道和进气孔，输送通道与外部气源连接，为反应腔体输送反应气体，输送通道设置在基座下方；所述进气孔设置在基座台面上并与所述输送通道连通，多个进气孔在基座台面上的分布为：位于晶圆下方边缘区域密度大于中心区域密度。本发明通过非均匀进气孔补偿了晶圆边缘和中心固有的沉积不均匀性，从而在整体上提高了薄膜的均匀性；通过缩短的气体输送路径使氧分压调节速率提升，靶电压波动范围收窄，最终实现稳态控制。

天眼查资料显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本2166.4515万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡尚积半导体科技股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息175条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员