国家知识产权局信息显示，富芯晶圆制造（深圳）有限公司申请一项名为“半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法”的专利，公开号CN121344755A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法，涉及半导体材料制备技术领域，该半绝缘碳化硅晶体生长装置包括生长腔室、设置在生长腔室上部的籽晶固定结构以及设置在生长腔室下部的原料容纳区，还包括排气阻隔部，排气阻隔部设置在原料容纳区中，排气阻隔部的表面设有微孔结构，排气阻隔部的内部设有连通原料和腔室上部的气体扩散通道，排气阻隔部通过微孔结构与气体扩散通道的协同作用，使原料中析出的杂质气体定向扩散至生长腔室的上部并排出。本发明公开的一种半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法，能够有效去除原料中所含的杂质气体元素，如B、N。

天眼查资料显示，富芯晶圆制造（深圳）有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本4300万人民币。通过天眼查大数据分析，富芯晶圆制造（深圳）有限公司财产线索方面有商标信息3条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员