国家知识产权局信息显示，成都锐成芯微科技股份有限公司申请一项名为“嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法”的专利，公开号CN121354635A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法，该闪存包括：存储阵列区和外围逻辑区，存储阵列区包含至少一个存储单元，该存储单元包含：一对叠置栅极和一对选择晶体管，叠置栅极包括：浮栅栅氧层、浮栅、介电层、和控制栅极；所述外围逻辑区包括高压和低压的逻辑区，高压或低压的逻辑区包含至少一个标准逻辑晶体管，它包括：逻辑栅氧层和逻辑栅极；所述闪存的存储器件阈值电压的调整方法包括两次全域离子注入，首次全域离子注入在形成浮栅栅氧层之前实施，注入离子的剂量是：能使存储单元器件的阈值电压达到所需要的数值；再次全域离子注入在形成浮栅之后、和逻辑栅氧层之前实施；两次注入离子的电类型相反但注入剂量相同。

天眼查资料显示，成都锐成芯微科技股份有限公司，成立于2011年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5609.2881万人民币。通过天眼查大数据分析，成都锐成芯微科技股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目47次，财产线索方面有商标信息30条，专利信息235条，此外企业还拥有行政许可6个。

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作者：情报员