国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“TSV工艺金属层对准方法”的专利，公开号CN121358268A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种TSV工艺金属层对准方法，包括：S1，制作CT层标记；S2，执行CT层金属填充工艺；S3，TSV层光刻定义TSV图形，同时将CT层标记区域光刻胶去除；S4，TSV层刻蚀，利用填充金属与Si刻蚀选择比，反相刻蚀出与CT层标记反相的标记；S5，去除CT层标记上的金属，留下与CT层标记反相tone的对准标记；S6，TSV金属填充；S7，Metal dep，光刻标记用于后续层次对准和套刻。本发明能解决钨填充造成无法识别对准标记和套刻标记的技术问题。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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作者：情报员