1月18日，美国商务部部长霍华德・卢特尼克（Howard Lutnick）在美光纽约工厂奠基仪式上的表态，为本已沸腾的全球内存市场投下又一颗 “炸弹”：存储芯片制造商若不选择在美国本土建厂，将面临高达 100% 的惩罚性关税。
这一政策加码，叠加 AI 算力需求爆发、存储巨头产能倾斜等既有矛盾，正将全球内存价格推向 “进一步失控” 的边缘，下游产业与普通消费者将持续承压。
内存市场供需失衡
从供需基本面来看，内存市场早已处于 “紧绷状态”。需求端，AI 产业的爆发式增长彻底重塑了存储市场逻辑。大模型训练、数据中心扩容对高带宽内存（HBM）和高性能 DRAM 的需求呈指数级攀升，华为等企业均指出，存储已从 AI 的 “配套设施” 升级为 “核心基础设施”。
据 TrendForce 数据，2025 年 9 月以来，DDR5 内存价格涨幅超 300%，DDR4 涨幅超 150%，部分高端服务器内存条单价逼近 5 万元。“一盒内存条堪比上海一套房” 的夸张描述，成为市场供需失衡的真实写照。
而供给端的 “结构性收缩” 更让矛盾雪上加霜。全球存储行业呈现 “三巨头垄断” 格局 —— 三星、SK 海力士、美光合计占据超 90% 的 DRAM 市场份额，产能分配完全掌握在少数企业手中。为追逐更高利润，三大巨头纷纷将产能向 HBM 倾斜，其中美光已宣布停止向消费电子、PC 领域出货 DDR4 内存，三星、SK 海力士也缩减了传统 DRAM 产能，转而优先满足 AI 服务器的高价订单。
这种 “产能大挪移” 直接导致消费级内存供应缺口扩大，市场陷入 “有钱难拿货” 的困境，为价格上涨埋下伏笔。
关税大棒火上浇油
如今美国 “100% 关税” 政策的出台，无疑将这一困境推向极致。从当前巨头布局来看，仅有美光明确在美国本土生产 DRAM，三星、SK 海力士虽有在美投资，但均不涉及核心内存生产线。其中，三星在美聚焦半导体前道和后道工序，SK 海力士 40 亿美元的印第安纳州项目仅覆盖 2.5D 先进封装与研发。
若新政落地，这两家韩国巨头将首当其冲，面临 “要么承担巨额关税、要么斥资建厂” 的两难选择。
无论选择哪条路，最终成本都将传导至内存价格。若承担关税，三星、SK 海力士势必将成本叠加到产品售价中，进一步推高全球内存报价；若选择在美建厂，美国高昂的建设成本、人力成本与技术转移成本，同样会转化为内存生产的隐性成本，最终反映在终端价格上。科技媒体 Wccftech 分析指出，此举将导致全球存储供应链成本剧增，原本就处于历史高位的内存价格，可能迎来新一轮 “失控式上涨”。
这种上涨压力已开始向全产业链蔓延。下游终端领域，PC、手机厂商率先承压。联想、戴尔等笔电品牌已预告价格上涨 15%-20%，国产手机新品较上一代普遍涨价 100-600 元，中低端机型更是陷入 “降配保价” 的无奈选择；智能汽车行业受冲击更甚，蔚来创始人李斌直言 “内存涨价是 2026 年最大成本压力”，智能座舱与自动驾驶系统对高容量内存的依赖，迫使车企与 AI 服务器厂商 “争夺有限产能”，而国内车市白热化的价格战，让车企几乎没有成本消化空间。
上涨周期或远超预期
更严峻的是，内存价格的上涨周期可能远超预期。一方面，存储巨头的扩产计划存在 “时滞效应”：美光纽约工厂 2030 年才正式投产，三星、SK 海力士即便在美建厂，也需 3-5 年才能释放产能；另一方面，AI 需求的增长仍在加速，英伟达新一代 AI 加速器 Vera Rubin 对 SSD 容量的需求是前代的 10 倍，2027 年仅这一款产品就将新增 1.152 亿 TB 的存储需求，持续挤压消费级市场的产能空间。
目前业内专家判断供应紧张局面至少需要两年才能缓解，这意味着内存高价状态可能持续至 2028 年。不过也有观点指出，这一轮上涨周期可能会持续更长，因为不排除存储大厂人为干扰市场供给。
在此背景下，美国关税政策的本质，是将产业博弈的成本转嫁给全球消费者与下游企业。在 AI 算力需求不可逆转、存储产能高度集中的背景下，100% 关税的 “大棒” 不仅无法解决供需矛盾，反而会打破现有供应链平衡，让本已飙升的内存价格彻底失去调控锚点。
对于普通消费者而言，未来一段时间内，“买电子产品更贵、换机周期更长” 或成常态；对于依赖外部存储供应链的中国终端厂商，加快国产存储替代、锁定长期产能，已成为应对这场 “内存危机” 的必然选择！
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