国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“深沟槽的形成方法”的专利，公开号CN121358186A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种深沟槽的形成方法，包括：在半导体衬底表面依次形成硬质掩膜层和光刻胶，对光刻胶进行图形化以在深沟槽的形成区域形成第一开口。对硬质掩膜层进行刻蚀形成穿过硬质掩膜层的第二开口。对半导体衬底进行第一次浅表刻蚀形成第一浅表沟槽，第一浅表沟槽的深度满足将在后续第二次主体刻蚀中易于产生底切缺陷的沟槽顶角区暴露。在第一开口、第二开口和第一浅表沟槽的侧面形成保护层且第一浅表沟槽的底部表面暴露。对半导体衬底进行第二次主体刻蚀形成第二主体沟槽，在第二次主体刻蚀中，保护层对沟槽顶角区进行保护以防止在沟槽顶角区产生底切缺陷。本发明能防止深沟槽产生顶部底切缺陷。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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作者：情报员