国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“纳米级加热器结构及其制作方法”的专利，公开号CN121368044A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种纳米级加热器结构及其制作方法。该纳米级加热器结构中，加热丝设置为芯片金属互连结构中通孔层内的导电塞，储液槽为邻近加热丝设置的、并形成于该金属互连结构上方的介质层内的凹槽。其制作方法利用标准半导体后道工艺，通过形成导电塞并刻蚀介质层，将加热器与储液槽集成于同一芯片。本发明将加热丝和储液槽直接集成于芯片内部，利用标准的后道互连工艺中的钨塞作为加热元件，无需昂贵的铂等贵金属材料，也无需额外的特殊溅射工艺和封装工序，从而极大地提高了系统的集成度，并显著降低了制造成本。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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作者：情报员