太浩研究申请在硅衬底和封装衬底上耦合高带宽存储器设备专利,可基于操作模式选择性地激活I/O触点或CA触点
金融界
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国家知识产权局信息显示,太浩研究有限公司申请一项名为“在硅衬底和封装衬底上耦合高带宽存储器设备的技术”的专利,公开号CN121366600A,申请日期为2020年9月。
专利摘要显示,公开了用于将高带宽存储器设备耦合在硅衬底和封装衬底上的技术。示例包括基于操作模式选择性地激活在高带宽设备的逻辑层的底侧上的输入/输出(I/O)触点或者命令和地址(CA)触点。I/O触点和CA触点用于经由一个或多个数据通道对包括在所述高带宽存储器设备中的一个或多个存储器设备进行存取。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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