国家知识产权局信息显示，苏州中科重仪半导体材料有限公司申请一项名为“硅衬底上氮化铝的生长方法”的专利，公开号CN121381166A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请公开了一种硅衬底上氮化铝的生长方法，该硅衬底上氮化铝的生长方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上形成缓冲层；在硅衬底上生长氮化铝；其中，缓冲层位于硅衬底与氮化铝之间，缓冲层为单层碳化硅薄膜。缓冲层的制作方法包括：对硅衬底进行高温氢气退火；在预设温度下向反应腔中通入预设流量的三甲基铝；其中，预设流量小于0.1umol/min。采用超低流量三甲基铝在高温下反应，通过自限制反应机制精确控制单层碳化硅的形成，为后续氮化铝的高质量生长奠定了良好的基础，提升了硅衬底上氮化铝的生长质量。

天眼查资料显示，苏州中科重仪半导体材料有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1083.34万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州中科重仪半导体材料有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可7个。

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作者：情报员