国家知识产权局信息显示，安徽大学、合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种SRAM单元、SRAM电路和存储器”的专利，授权公告号CN223828233U，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种SRAM单元、SRAM电路和存储器，包括10个MOS管，分别为M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9和M10；M1、M3、M5、M6、M7、M8和M10为NMOS，M2、M4和M9为PMOS。该SRAM单元可以称为10T SRAM。10T SRAM是在现有的6T SRAM基础上增加4个MOS管得到的。10T SRAM在读写数据时，类似8T SRAM，10T SRAM的读写速度比8T SRAM的读写速度略慢，但是比6T SRAM的读写速度快。10T SRAM进行组合后，可以直接用于复制数据，复制数据时不再需要ALU，明显提高了复制数据的速度。

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作者：情报员