国家知识产权局信息显示，瑞昱半导体股份有限公司申请一项名为“半导体集成电路的电容结构”的专利，公开号CN121398457A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种半导体集成电路的电容结构，形成于不能转向与能转向金属层。该电容结构包含：一第一电容电极布局单位，位于该不能转向金属层，其中该第一电容电极布局单位的所有金属走线平行于一第一方向；一第二电容电极布局单位，位于该能转向金属层，其中该第二电容电极布局单位之一第一电位部分与一第二电位部分的每一部分的金属走线包含平行于该第一方向的金属走线以及平行于一第二方向的金属走线，该第一电位部分与该第二电位部分用来接收不同电压；以及一介电质，位于该第二电容电极布局单位的第一电位部分与第二电位部分之间，其中该第一电容电极布局单位的金属走线的至少一部分经由至少一贯孔电性连接至该第二电容电极布局单位的第一电位部分。

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作者：情报员