国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种图像传感器的形成方法”的专利，公开号CN121398164A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明通过碳/锗离子注入在衬底晶圆的浅表层形成Si‑C或Si‑Ge区域，来提高衬底晶圆内部对杂质离子的吸杂能力，可以减少金属杂质污染、抑制暗电流从而降低白色像素缺陷；通过分步浅层离子注入，在晶圆表面至体内形成递减浓度梯度分布，能够在表面提供丰富的俘获位点以高效吸附衬底杂质离子，同时通过渐变分布在深层形成扩散阻挡，有效抑制杂质向有源区迁移，从而在保证吸附效果的同时降低对器件性能的不良影响，也可以稳定晶格，减少后续高温对晶格的损伤。利用吸附离子注入后的外延层的生长温度对所注入的吸附离子进行热激活来对离子掺杂区与进行退火与缺陷修复，可以避免带来更高的热预算，减少对衬底上其它区域和器件的影响。

天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息136条，此外企业还拥有行政许可90个。

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作者：情报员