国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司申请一项名为“一种液相法碳化硅晶体生长装置及生长方法”的专利，公开号CN121381157A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种液相法碳化硅晶体生长装置，包括内部有保温腔的保温组件、固定于保温腔内的坩埚、与坩埚适配的测温仪和加热组件；坩埚内有生长腔，保温组件顶部贯穿有籽晶杆，籽晶杆与坩埚同轴且籽晶杆的轴线沿竖直方向延伸，籽晶杆底端联动设置有承载碳化硅晶体的籽晶托，籽晶杆能够往复升降以带动籽晶托经由过料口进出生长腔；加热组件包括内发热筒、外发热筒以及感应加热线圈，内发热筒及外发热筒均同轴套设于坩埚的外部，外发热筒的外周壁沿周向贴合适配于保温腔的内周壁，内发热筒能够往复升降地滑动适配于外发热筒的内周壁上，且内发热筒的内周壁与坩埚的外周壁间隙配合。本发明还公开一种应用上述液相法碳化硅晶体生长装置的生长方法。

天眼查资料显示，北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目313次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息228条，此外企业还拥有行政许可149个。

江苏天科合达半导体有限公司，成立于2018年，位于徐州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本35000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏天科合达半导体有限公司参与招投标项目93次，专利信息129条，此外企业还拥有行政许可27个。

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作者：情报员