国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种氮化物外延片及其制备方法、LED器件”的专利，公开号CN121381180A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开一种氮化物外延片及其制备方法及LED器件，该制备方法包括如下步骤：在衬底基板上形成外延结构，得到氮化物外延片；其中，外延结构包括多个第一氮化物结构以及覆盖所有第一氮化物结构的氮化物外延层，每个第一氮化物结构设置于衬底基板上，衬底基板与氮化物外延层之间具有多个间隙空气层，间隙空气层与第一氮化物结构交替分布在衬底基板上。本发明通过设置间隙空气层可以有效缓解衬底基板和氮化镓外延层之间由于晶格失配和热失配产生的较大应力，提高了氮化物外延片的晶体质量和均匀性，从而提升器件的性能和可靠性。

天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息384条，此外企业还拥有行政许可11个。

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作者：情报员