国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“获取掩膜版补偿CD偏差的方法、掩膜版及刻蚀图形”的专利，公开号CN121386282A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种获取掩膜版补偿CD偏差的方法、掩膜版及刻蚀图形，属半导体领域。该获取掩膜版补偿CD偏差的方法包括提供一离子注入层。基于第一距离和第二距离的实际测量值与偏差，建立测试图形的偏差随第一距离和第二距离变化的曲线；获取目标图形在有源区和隔离区的第一距离和第二距离的实际测量值；基于所述变化的曲线和目标图形的第一距离和第二距离的实际测量值，获取目标图形的掩膜版的CD偏差值。本发明通过将偏移量补偿到实际的掩膜版的设计尺寸中，在实际产品中掩膜版曝光后，能够提高光刻胶临界线宽CD的准确度，改善光刻胶崩塌的现象。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目935次，专利信息223条，此外企业还拥有行政许可12个。

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作者：情报员