国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121398122A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括基底、第一晶体管与第一金属栅极。基底具有彼此相对的正面与背面。第一晶体管位于正面上。第一晶体管包括第一通道区。第一金属栅极位于背面上，且对准第一通道区。

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作者：情报员