核心结论：全球第三代半导体（SiC+GaN为主）正处高速增长期，2024年约24.6亿美元，2030年有望达150亿美元，CAGR超30%；中国市场增速更快，2024年约850亿元，2030年或至3200亿元，CAGR约24.6%，其中SiC功率器件是最大增长引擎。
一、全球市场规模（按品类拆分）
• SiC功率器件：2024年约25-30亿美元，2029年接近100亿美元，2024-2029年CAGR36%-40%；2030年预计超200亿美元，CAGR40%+，核心驱动是新能源汽车800V高压平台、光伏/储能逆变器。
• GaN功率器件：2024年约16.8亿美元，2029年超40亿美元，2024-2029年CAGR21.6%-30%；2030年预计达80亿美元，CAGR45%+，主要应用于快充、AI服务器电源、5G基站。
• GaN射频器件：2025年市场约50亿美元，5G基站渗透率超90%，低轨卫星通信成新增量，2030年CAGR维持20%+。
• 整体市场：2025年全球规模约51.31亿美元，2032年预计131.5亿美元，2026-2032年CAGR14.6%（含光电子等细分）；若仅聚焦功率/射频核心赛道，2030年规模将突破150亿美元。
二、中国市场规模（本土需求+国产替代）
• 整体市场：2024年突破850亿元，2030年攀升至3200亿元，CAGR24.6%，占全球比重超35%，成为最大应用市场。
• SiC功率器件：2024-2029年CAGR40%，2030年车用SiC市场突破400亿元，充电桩用SiC/GaN超120亿元，国产替代率从不足10%向50%+迈进。
• GaN功率器件：2024-2029年CAGR30%，快充领域全球市占率超15%，AI服务器电源批量应用，2030年市场规模超200亿元。
• GaN射频器件：国内5G基站市占率约30%，2030年全球市占率目标10%+，市场规模超150亿元。
三、关键驱动与时间节点
• 2026年：8英寸SiC衬底成本降至6英寸70%，安意法等8英寸产线批量生产，SiC/GaN成本下降30%+，渗透率加速提升。
• 2027年：SiC器件在新能源汽车渗透率达60%，中国企业全球市占率15%+，8英寸产能占比超30%。
• 2028年：12英寸SiC技术中试突破，GaN-on-Si外延良率达98%，第三代半导体在功率电子领域渗透率超20%。
• 2030年：全球SiC功率器件市场200亿美元，GaN功率80亿美元，中国市场占全球35%，基本实现高端应用自主可控。
四、风险提示
• 国际巨头技术与产能领先，SiC/GaN良率、成本差距仍存；
• 高端设备（MOCVD、长晶炉）依赖进口，供应链安全风险；
• 车规认证周期长，客户导入进度不及预期。
热门跟贴