国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司申请一项名为“一种封装结构的制备方法”的专利，公开号CN121398652A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种封装结构的制备方法。封装结构的制备方法包括：提供待封装晶圆；在待封装晶圆表面制备第一电镀金属层和塑封层；或者，在待封装晶圆表面制备第一电镀金属层、至少一层第二电镀金属层和塑封层；其中，所述塑封层包覆所述待封装晶圆；所述第一电镀金属层包括相互连接的外接引脚和第一连接部；所述外接引脚设置于所述塑封层外；所述塑封层设置有所述外接引脚的一侧设置有第一通孔，所述第一连接部设置于所述第一通孔内。本发明实施例可以提高生产效率，提高封装结构的结构稳定性。

天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本370000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息275条，此外企业还拥有行政许可51个。

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作者：情报员