01
前沿导读
中欣晶圆半导体总经理在做客《湾芯会客室》节目时表示，中国芯片在高端领域存在较大的进口替代空间，应用在高制程的12英寸硅片，其整体自主化率不足15%，大部分的技术设备需要依赖进口。
产业的认证周期较长，最快一轮下来都要半年，如果是全验证通过进入量产阶段，需要一年至一年半的时间。先进制程是未来市场，其未来的大方向就是被国内厂商的技术替代掉。
参考资料：
湾芯会客室 | 全链突围进行时 国内晶圆制造的"双轨并行"
https://www.douyin.com/video/7596961645549718824
02
先进制程
据《中国经营报》新闻指出，全球半导体公司在先进技术的竞争当中进入白热化阶段，英特尔的18A工艺步入小规模量产阶段，18A工艺相当于1.8nm节点，并且该工艺使用ASML第二代高数值孔径的EUV光刻机进行制造，其对比的则是台积电与三星推出的2nm工艺。
英特尔、台积电、三星，这三家是目前先进技术的核心竞争者，而中国大陆地区的中芯国际、华虹半导体等公司则是依然聚焦于28nm及以上制程的成熟工艺。
成熟工艺在现阶段是中国企业的核心利润来源，据中芯国际的财报数据显示，其28nm及以上工艺的营收占比达到了90%以上。
具备Fin FET晶体管结构的14nm、12nm有一定规模的出货，但受限于美国在制造设备上面的出口限制，该工艺节点并未给企业创造规模化效应。
至于中芯南方工厂负责的N+1、N+2等先进制程技术，由于该工厂为多方合资的企业，母公司中芯国际不具备最终的实际控制权，所以在母公司的财报当中并未体现南方工厂的经济情况。
CHIP中国区实验室主任罗国昭对此解释称，国产半导体企业正在集中于28nm及以上工艺的扩产，并同时向14nm、12nm等中端制程技术推进。
这种政策看似与国际企业形成了巨大的技术代差，但是依托中国本土强大的电子制造业和汽车工业体系，可以显著提升中国芯片的市场占有率，进而推动本土产业链进入国产化替代阶段。
国产先进工艺也取得了一定程度的进展，采用ASML浸润式光刻机和自对准多重图案化技术制造的国产芯片已经实现了量产，其晶体管密度达到了1.08MTr/mm² (百万晶体管每平方毫米)，等效工艺为7nm。
参考资料：
全球1.8纳米先进制程大战加剧 中国半导体稳健突破
http://www.cb.com.cn/index/show/bzyc/cv/cv135251791649
据中国社会科学院产业与企业竞争力研究中心发布《产业蓝皮书：中国产业竞争力报告》显示，依托全球集成电路产业的进步降速，国产28nm节点的成熟芯片将会快速驱动显示芯片、功率芯片、射频芯片领域的自主化提升，成为保护国内安全需求的重要支撑。
国产先进制程也迎来了技术突破，相关企业正在向更先进的5nm节点展开技术研发。
参考资料：
产业蓝皮书：我国集成电路全产业链自主可控能力显著提升
https://www.dutenews.com/n/article/8904959
03
重仓设备
据《中国工业报》新闻指出，截止到2025年第三季度，国家集成电路产业投资基金（大基金）的投资路线已经明朗，北方华创、沪硅产业、拓荆科技这三家半导体供应链企业位居大基金扶持力度的最前列，现在以及未来重点扶持的项目将会是半导体核心装备与基础材料。
常信科技CEO葛林波对采访媒体表示，国家的扶持已经进入了设备先行、材料筑基、技术协同的全链路攻坚体系，国家资源的投资并不是为了追求商业收入，而是追求国家科技自立自强的战略任务。
制造设备与制造材料是国产化替代非常薄弱的环节，其中涉及到海外企业的技术专利与供应链之间的匹配程度，该产业环节的突破往往伴随着周期长、投入大、回报慢的现象，但该产业对于实现产业链自主可控具有重大战略意义，再艰难也要发展。
远东资信研究院研究员黄美霖对媒体表示，在前沿技术领域实现进口产品替代的困难度最高，ASML的EUV光刻机是一个大问题，该设备是制造7nm及以下芯片的核心设备，而国产厂商只在28nm及以上制程的设备当中初步实现了国产替代。
想要对进口的技术设备实现大规模替代，主要有三方面的挑战。
一是高端设备材料的瓶颈，二是产业链彼此之间的协同水平，三是金融体系的支持。
300mm大硅片、国产光刻胶等基础材料已经有部分企业实现了突破，但是下游厂商出于对产品良率、供应链稳定性的考虑，很少会有企业主动去使用国产材料，导致国产材料的规模化进度缓慢，其核心的问题在于良率和供应链的稳定会影响整体的经济收入。
在先进技术领域实现国产化替代，设备材料、合作、资金支持都是因果关系，未来国家给予的政策扶持，将会逐步解决国产化材料“使用困难”的问题。
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