别再盯着GPU和HBM高带宽内存了,AI推理浪潮正在让NAND闪存摆脱“强周期商品”的宿命,演变成一种高增长的AI基础设施资产。

据追风交易台消息,1月23日,摩根大通亚太区科技研究团队发布深度研报《半导体:NAND——更长、更强的上升周期》,宣告NAND行业进入了一个由AI推理驱动的全新超级周期。与过去依靠智能手机和PC出货量驱动的周期不同,本轮周期的核心驱动力是企业级SSD(eSSD)

摩根大通认为,随着AI工作负载从训练向推理转移,以及HDD(机械硬盘)在近线存储领域的供应瓶颈,NAND市场正迎来前所未有的结构性增长。而投资者严重低估了NAND在AI推理时代的战略地位。

告别“周期诅咒”:10%的增长成过往,迎接30%的TAM爆发

长久以来,NAND行业一直被视为典型的强周期性大宗商品:技术进步带来成本下降,厂商疯狂扩产,随即引发价格崩盘。

但现在,这个逻辑被打破了。

摩根大通复盘了过去25年的数据发现,无论是过去20年、15年还是5年,NAND行业的TAM(潜在市场规模)年均复合增长率(CAGR)始终徘徊在7%-12%的区间内。

然而,预测数据显示,在接下来的三年(2025-2027年),这一数字将跳涨至34%。

这种断层式的增长并非来自盲目的出货量堆积,而是来自“量价齐升”的罕见共振。报告指出,过去NAND市场的扩大主要靠比特出货量(Bit Shipment)的高增长来抵消ASP(平均销售价格)的暴跌。但在本轮周期中,ASP将成为增长的正向驱动力。

摩根大通预测,2026年NAND行业的混合平均销售价格将同比大幅上涨40%。 更为关键的是,这种上涨不是昙花一现,预计2027年价格仅会微跌2%,维持在高位运行。

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这一基本面的改变直接导向了估值的重构。报告指出,市场对于存储股的定价正在剥离单纯的“周期属性”,转而赋予其“AI成长属性”。

自2025年1月以来,全球存储板块市值已激增242%,但摩根大通认为,考虑到NAND在AI推理中的不可替代性,这种重估远未结束。

AI推理的“隐形基石”——为什么是eSSD?

市场普遍存在一个误区:AI只利好DRAM(特别是HBM),NAND只是配角。摩根大通在报告中用大量篇幅纠正了这一观点:在AI推理(Inference)阶段,eSSD(企业级固态硬盘)的重要性不亚于HBM。

报告明确了训练与推理的本质区别:

  • 训练阶段(Training): 核心是算力与带宽。大量数据需要并行吞吐,HBM是绝对主角,NAND主要负责冷数据存储,价值量有限。

  • 推理阶段(Inference): 核心是延迟与上下文。当大模型面对用户的实时提问时,需要从海量参数中快速检索和生成Token。

其次,KV Cache Offloading(键值缓存卸载)——关键技术取得了突破。

随着AI模型的上下文窗口(Context Length)不断拉长,GPU的显存(HBM)容量迅速捉襟见肘。为了解决这一瓶颈,技术界引入了KV Cache Offloading技术。简单来说,就是将原本必须挤在昂贵HBM中的中间状态数据,卸载到外部存储中。

这就对外部存储提出了极高的要求:必须够快,必须够大。

摩根大通特别提到了英伟达在CES 2026上发布的基于BlueField-4 DPU的ICMS(推理上下文内存存储)平台。该平台允许GPU绕过CPU,直接以极低延迟访问SSD。这使得eSSD不再是单纯的“硬盘”,而变成了AI计算系统中的“二级内存”。

需求端的反馈是直接而暴力的。报告数据显示,2024年eSSD的比特出货量同比增长了惊人的86%,这一增速水平上一次出现还要追溯到2012年。

展望未来,摩根大通预测,AI服务器单机对存储容量的需求将达到70TB以上,是通用服务器(约20TB)的3倍以上。到2027年,eSSD将占据全球NAND比特需求的48%,彻底超越智能手机(30%)和PC(22%),成为NAND行业的第一大需求支柱。

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完美风暴——HDD缺货与QLC的上位

eSSD的爆发不仅仅是因为AI的增量,还来自于存量市场的“被迫替代”。报告揭示了一个被市场忽视的供应链危机:机械硬盘(HDD)的供给崩盘。

  • 机械硬盘的“绝望”两年

由于过去几年存储市场低迷,HDD厂商(如希捷、西部数据)大幅削减了资本开支。当AI带来的数据存储需求突然井喷时,HDD行业发现自己根本无法在短期内扩产。

摩根大通援引TrendForce和Gartner的数据指出,目前大容量近线HDD(Nearline HDD)的交货周期已长达2年,且供应极度短缺。

  • QLC的性价比时刻

面对HDD的缺货,数据中心客户别无选择,只能转向NAND Flash。这就给了QLC(四层单元闪存)绝佳的上位机会。

虽然SSD的价格(即便是QLC)仍是HDD的数倍(目前约为6-8倍),但在AI基础设施建设的竞赛中,“有货”和“性能”的优先级远高于“便宜”。 此外,SSD在能耗比和空间占用上的优势,也更符合AI数据中心对电力和散热的苛刻要求。

报告特别指出,目前SSD在“业务关键型(Business-Critical)”存储领域的渗透率仅为19%,这意味未来替代HDD的空间是巨大的。摩根大通测算,SSD渗透率每提升1个百分点,就将为NAND行业带来约20亿美元的增量收入。

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供给侧的“默契”——为什么厂商不再疯狂扩产?

需求如此旺盛,价格如此诱人,按照历史规律,厂商们应该开始疯狂买设备、建新厂了。但摩根大通观察到的情况恰恰相反:供给侧表现出了前所未有的克制。

  • 资本开支强度创历史新低

数据显示,未来三年NAND行业的资本开支(Capex)占销售额的比例将降至15%-16%的水平。作为对比,过去十年这一比例常年维持在30%-50%,2018年甚至达到过68%的峰值。

摩根大通分析师认为,这种“低投入”并非暂时的,而是结构性的。

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图注:NAND行业的资本开支强度(Capex/Sales)预计将长期维持在低位,这是本轮周期与以往最大的不同,直接限制了未来的产能释放。

  • 物理学的制约:堆叠的极限

为什么有钱不赚?因为“赚不到”了。报告深入剖析了技术层面的瓶颈:

  • 刻蚀难度呈指数级上升: 当NAND堆叠层数突破300层、400层时,在30微米厚的堆叠层上打出均匀的孔(Channel Hole)变得极度困难。高深宽比的刻蚀会导致孔洞变形,直接造成单元失效。

  • 晶圆翘曲(Warpage): 数百层的堆叠会产生巨大的机械应力,导致晶圆发生数百微米的弯曲,这在制造过程中是灾难性的。

  • 混合键合(Hybrid Bonding)的高门槛: 为了解决上述问题,厂商必须采用混合键合技术,将逻辑芯片和存储阵列分开制造再粘合。这不仅需要极其昂贵的超高精度设备,还会因为逻辑芯片的良率问题拖累整体产出。

因此,现在的NAND扩产不再是简单的“买设备”,而是艰难的“技术迁移”。摩根大通预测,2026年全球NAND晶圆产出(Wafer Output)的同比增速仅为3%,这意味着供应增长几乎完全依赖技术升级(层数堆叠),而非新厂扩能。而在比特需求高达21%的增速下,这种供给侧的结构性限制将导致全年处于供不应求状态,支撑ASP暴涨40%。

谁是最大赢家?

基于上述逻辑,摩根大通对全球主要存储芯片厂商进行了详细的竞争力分析,并给出了明确的投资排序。

亚洲首选:铠侠

铠侠是摩根大通在本轮NAND周期中的首选标的(Top Pick)

  • 技术独特性(CBA架构): 报告高度评价了铠侠独有的的CBA(CMOS Bonded Array,CMOS直接键合阵列)架构。与竞争对手不同,铠侠将外围逻辑电路(CMOS)和存储阵列分别在两片晶圆上制造,然后通过混合键合连接。这种做法让逻辑电路可以用更先进的制程(如28nm/14nm),从而获得极高的I/O速度,完美契合AI推理对数据吞吐速度的极致追求。

  • 服务器占比激增: 报告预计,随着BiCS 8技术的量产,铠侠的服务器业务营收占比将从2023年的20%飙升至2027年的61%。这种结构性的客户变化将带来巨大的利润弹性。

  • 纯度与估值: 作为纯NAND厂商,铠侠最能直接享受到NAND价格上涨的红利,且相比已经大幅上涨的SK海力士,其估值仍具吸引力。

长期王者:SK海力士

摩根大通对SK海力士维持“长期看好”的观点,核心在于其子公司Solidigm的成功。

  • QLC的绝对统治力: 通过收购英特尔的NAND业务(即现在的Solidigm),SK海力士继承了浮动栅极(Floating Gate)技术在QLC上的优势。目前,Solidigm在30TB、60TB级超大容量eSSD市场上几乎没有对手,拥有极强的定价权。

  • 双轮驱动: SK海力士是市场上唯一同时在AI训练(HBM市占率第一)和AI推理(QLC eSSD领先)两端都占据主导地位的厂商。

短期补涨:三星电子

对于存储老大三星,摩根大通给出的逻辑是“短期补涨”。

  • 追赶者的弹性: 三星在QLC和eSSD领域虽然起步稍慢于SK海力士,但其庞大的产能基础不容忽视。报告指出,三星正在加速V9 QLC技术的量产,并有望在2026年夺回部分市场份额。

  • 估值修复: 考虑到三星股价前期表现显著滞后于SK海力士和美光,且其服务器业务占比预计将从2023年的29%提升至2027年的66%,短期内具有较好的交易性价比。

差异化竞争:美光科技

美光采取了差异化的竞争策略。报告分析称,美光推出了6500 ION系列eSSD,试图用232层TLC技术去打对手的QLC市场,主打“TLC的性能、QLC的价格”。摩根大通认为美光将持续受益于美国本土数据中心的强劲需求,维持“增持”评级。

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图注:自2025年1月以来,存储股虽然普涨,但纯DRAM和纯NAND标的的表现开始分化。摩根大通认为纯NAND标的(如铠侠)将在接下来的周期中展现更强弹性。

风险和机遇并存

尽管大周期向上确立,摩根大通也在报告末尾提示了潜在风险。

最核心的担忧来自消费级电子产品(智能手机、PC)的需求疲软。目前,智能手机和PC的出货量增长依然乏力。如果NAND价格上涨过快,导致BOM(物料清单)成本大幅攀升,可能会迫使终端厂商“降配”(例如将512GB降回256GB),或者进一步抑制消费者的换机欲望。

报告数据显示,NAND成本占笔记本电脑ASP的比例预计将从低点的4.3%回升至10%以上,这对PC厂商的利润率构成了巨大挑战。

然而,摩根大通最终的结论是坚定的:这是一次由AI推理需求结构性爆发和供给侧结构性收缩共同造就的“超级周期”。 NAND不再是DRAM的附庸,而是AI基础设施中不可或缺的“热数据”蓄水池。对于投资者而言,关注eSSD收入占比高、技术路线领先的厂商,将是抓住本轮行情的关键。

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