国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“用于相对于硅选择性蚀刻硅锗或硅氮化物的自由基物质的热生成”的专利，公开号CN121400119A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，一种用于相对于至少一种第二材料蚀刻至少一种第一材料的方法，包括将衬底设置于处理室中的衬底支撑件上，以及供应载气、至少一种热蚀刻剂气体以及至少一种自由基生成气体至处理室，以相对于至少一种第二材料蚀刻至少一种第一材料。也公开了其它示例方法和系统。

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作者：情报员