国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于沉积高密度和高拉伸应力的膜的系统和方法”的专利，公开号CN121380919A，申请日期为2021年8月。

专利摘要显示，半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢流入半导体处理腔室的处理区域。基板可以被容纳在半导体处理腔室的处理区域内。方法还可以包括形成含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢的等离子体。等离子体可以在15 MHz以上的频率下形成。方法还可以包括将氮化硅材料沉积在基板上。

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作者：情报员