国家知识产权局信息显示，麦斯克电子材料股份有限公司申请一项名为“一种大尺寸超低氧单晶硅的制备方法”的专利，公开号CN121381155A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，一种大尺寸超低氧单晶硅的制备方法，涉及超低氧单晶硅拉制技术领域，包括化料工序，化料完成后，打开CUSP勾型磁场，控制晶转方向和埚转方向相同，拉制超低氧单晶硅，在化料完成后、拉制超低氧单晶前，关闭CUSP勾型磁场，控制晶转的方向和埚转的方向相反，拉制至少一根过渡晶棒，本发明能够降低单晶硅内的氧含量，得到超低氧单晶硅。

天眼查资料显示，麦斯克电子材料股份有限公司，成立于1995年，位于洛阳市，是一家以从事有色金属冶炼和压延加工业为主的企业。企业注册资本18505.6088万人民币。通过天眼查大数据分析，麦斯克电子材料股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目503次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息330条，此外企业还拥有行政许可103个。

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作者：情报员