国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“制造半导体器件的方法以及对应的半导体器件”的专利，公开号CN121398648A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本公开涉及制造半导体器件的方法以及对应的半导体器件。半导体管芯布置在基板的表面的安装区域处。基板包括在管芯焊盘周围的导电引线，管芯焊盘包括安装区域。金属层位于基板的包括安装区域的一个或多个部分处。半导体管芯布置在安装区域处。金属层在该金属层的少于全部的部分处被选择性地暴露于氧化等离子体，以产生包含金属层中的金属材料的氧化物的图案化的氧化物层。将电绝缘包封模制到基板的表面上，以包封半导体管芯。图案化的氧化物层中的金属材料的氧化物促进电绝缘包封到基板的表面的粘附。

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作者：情报员