国家知识产权局信息显示，北京中智核安科技有限公司申请一项名为“一种高纯锗探测器电极制备方法”的专利，公开号CN121380869A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及电极制备技术领域，且公开了一种高纯锗探测器电极制备方法，包括以下具体步骤，S1：磁控靶与基材的固定：将环形的靶材安装在磁控靶上，环状的基材夹持固定在定位条之间，使得基材套设在靶材的外部；S2：基材内环竖直面的镀膜：使得基材水平套设在靶材外部，驱动基材上下往复运动，从而对基材内环竖直面进行均匀的镀膜；S3：基材内环水平面的镀膜：将基材倾斜套设在靶材外部，使得基材内环的水平面发生倾斜，与靶材形成夹角，驱动倾斜的基材转动，对基材内环水平面进行均匀的镀膜，便于对环形基材电极的内环进行镀膜，从而提高环形电极制备的效率。

天眼查资料显示，北京中智核安科技有限公司，成立于2013年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1303.1693万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中智核安科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目251次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可4个。

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作者：情报员