国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种工艺腔室及薄膜沉积设备”的专利，公开号CN121380916A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种工艺腔室及薄膜沉积设备。工艺腔室包括：加热盘，具有与待加工晶圆同向弯曲的吸附表面，其中，所述吸附表面分布有多个真空吸附部；以及喷淋头，至少用于向被所述待加工晶圆提供沉积薄膜的工艺气体。本发明能够通过使用与待加工晶圆同向弯曲的吸附表面，减小晶圆边缘与加热盘表面的初始间隙，从而降低吸附翘曲晶圆所需的真空吸附力，并抑制工艺气体经由晶圆边缘气体泄漏到晶圆背部成膜的现象。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息449条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员