隆达电子申请半导体结构及其形成方法专利,支架的底表面与底层的顶表面之间具有间隙
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国家知识产权局信息显示,隆达电子股份有限公司申请一项名为“半导体结构、半导体单元及其形成方法”的专利,公开号CN121398527A,申请日期为2025年7月。
专利摘要显示,本发明公开一种半导体结构、半导体单元及其形成方法。半导体结构包括底层、支架及半导体元件。底层具有凸部。支架设置于底层上。支架包括接合部、连接部及承载部。接合部与底层的凸部连接。连接部与接合部连接。承载部与连接部连接。半导体元件设置于承载部上。半导体元件暴露接合部与连接部。支架的底表面与底层的顶表面之间具有间隙。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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