国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121419266A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：内侧墙，位于相邻设置的沟道层和沟道层之间，或者，位于相邻设置的基底和沟道层之间，内侧墙分布在沟道层的两端，且沿内侧墙的厚度方向，内侧墙包括最靠近沟道层的第二子内侧墙、以及位于第二子内侧墙之间的第一子内侧墙，第二子内侧墙的内侧壁凸出于第一子内侧墙的内侧壁。由于最靠近沟道层的第二子内侧墙凸出于第一子内侧墙的内侧壁，即第二子内侧墙的横向尺寸大于第一子内侧墙的横向尺寸，也就意味着，有利于增加内侧墙与沟道层的接触面积，从而降低栅极结构与源漏掺杂层发生漏电的问题，进而提高半导体结构的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

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作者：情报员