国家知识产权局信息显示，北京铭镓半导体有限公司申请一项名为“一种利用HVPE在蓝宝石衬底外延生长纯相α-Ga2O3的工艺方法”的专利，公开号CN121407216A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种利用HVPE在蓝宝石衬底外延生长纯相α‑Ga2O3的工艺方法，包括以下步骤：S1、将蓝宝石衬底进行清洗、烘干；S2、将蓝宝石衬底放入HVPE反应室，在氢气气氛下进行高温热处理；S3、在蓝宝石衬底上外延生长α‑Ga2O3薄膜；S4、将生长有α‑Ga2O3薄膜的蓝宝石衬底在氧气气氛下进行退火处理。本发明通过优化HVPE生长工艺参数，结合特定的预处理和后退火工艺，能够在蓝宝石衬底上实现纯相α‑Ga2O3薄膜的外延生长，有效抑制了β‑Ga2O3等杂相的生成，提高了α‑Ga2O3薄膜的晶体质量和相纯度。

天眼查资料显示，北京铭镓半导体有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2159.28086万人民币。通过天眼查大数据分析，北京铭镓半导体有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息59条，此外企业还拥有行政许可5个。

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作者：情报员