国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“3D NAND闪存的控制方法和控制器”的专利，公开号CN121415837A，申请日期为2020年5月。

专利摘要显示，三维（3D）NAND闪速存储器阵列的编程过程的控制方法包括：在编程阶段中对3D NAND闪速存储器阵列的位单元进行编程；以及在编程阶段之后的验证阶段中验证3D NAND闪速存储器阵列的位单元是否被编程；其中，编程阶段包括：利用多个编程电压脉冲对3D NAND闪速存储器阵列的位单元进行编程；其中，验证阶段包括：读取3D NAND闪速存储器阵列的具有低于或高于正常读取电压脉冲的电压的位单元。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1441次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

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作者：情报员