力晶积成申请具有栅极凹槽的金属氧化物半导体场效晶体管元件及其制造方法专利,其栅极在位于通道区的两侧边缘处分别具有一栅极凹槽延伸至栅极底部
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国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“金属氧化物半导体场效晶体管元件及其制造方法”的专利,公开号CN121419319A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,本发明公开了一种具有栅极凹槽的金属氧化物半导体场效晶体管元件及其制造方法,其中具有栅极凹槽的金属氧化物半导体场效晶体管元件,其栅极在位于通道区的两侧边缘处分别具有一栅极凹槽延伸至栅极底部,且该栅极的侧壁上具有栅极间隔壁,但该两栅极凹槽的侧壁上并未形成有该栅极间隔壁。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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