一、来源与行业归属
晶圆制造可视为“化工＋精密加工＋超净装配”的复合体，废水、废气、粉尘并非来自单一行业，而是嵌套在半导体主链条内的“高纯化学子行业”。具体而言：
废水来源于湿法蚀刻、CMP 抛光、光刻胶剥离、超纯清洗、电镀及设备酸洗，核心污染物为氟化物、氨氮、铜镍等重金属、有机溶剂以及纳米硅粉；
废气由扩散、CVD、干法蚀刻、光刻、去胶、离子注入等工序排放，可细分为酸性（HF、HCl、NOx）、碱性（NH₃）、有机（IPA、丙酮、MEA）和特种有毒（SiH₄、PH₃、HF 酸雾）四类；
粉尘主要诞生于晶圆背面研磨、切片、CMP 后清洗及厂房 HVAC 系统泄漏，粒径集中在 0.1–5 μm，表面常吸附金属离子和光刻胶残液，属易燃易爆纳米级粉尘。
二、特点与危害概述
废水具有“酸碱跨度大、氟离子高、重金属杂、硅粉超细”四高特征，一旦混入市政管网，可腐蚀混凝土、杀死活性污泥，并在管网末端形成难溶的氟化钙淤堵；
废气呈“大风量、低浓度、多组分、突排波动”特点，HF 与 NH₃ 在排口相遇可生成 NH₄F 白雾，造成周边光化学烟雾和可见度下降，同时 VOCs 中的醇醚类是臭氧前驱体；
粉尘因含硅和金属催化剂，遇水发热、遇火爆炸，且易穿透普通 HEPA 在车间二次沉积，导致芯片图形缺陷和良品率下降，长期吸入可致矽肺和金属尘肺。
三、治理难点
废水难点：氟化物与氨氮共存，传统“钙盐除氟”会把 NH₄⁺ 转化成 NH₃ 逸散，导致尾气超标；研磨硅粉粒径<100 nm，沉降速度接近布朗运动，重力沉淀基本无效；
废气难点：酸性、碱性、有机、有毒气体“四气同楼”，若管路分流不彻底，HF 遇 NH₃ 结晶会堵塞阀门，RTO 高温下 SiH₄ 易形成 SiO₂ 微粉造成蓄热陶瓷板“玻璃化”失效；
粉尘难点：粒径接近半导体特征线宽，常规布袋 99% 的截留效率仍无法满足 Class 1000 以上洁净度；同时研磨液中的有机添加剂使粉尘呈黏性，清灰困难。
四、针对性技术路线
废水：采用“钙盐＋铝盐”两级除氟—厌氧氨氧化（Anammox）—MBR—臭氧催化氧化—RO 浓水蒸发结晶的闭环工艺；研磨废水先经“电磁絮凝＋板框”实现硅粉 95% 回收，出水回用到超纯水原水箱；
废气：酸、碱、有机、有毒“四分管”独立收集；酸性气进“多级碱喷＋湿式电除雾”，碱性气进“酸喷＋除雾”，有机气进“沸石转轮浓缩—RTO”，有毒特种气进“POU 等离子燃烧＋水洗”三级安保；
粉尘：研磨车间采用“局部封闭＋负压回风＋高效滤筒＋在线脉冲清灰”系统，滤材选用 PTFE 覆膜 + 抗静电纤维，过滤后 0.1 μm 颗粒截留效率≥99.95%，收集的硅粉经酸洗—干燥—重熔，回用于拉晶环节。
五、经典案例深度解析
案例一：华东某 12 英寸晶圆厂 VOCs 治理项目
背景：产能 5 万片/月，光刻、清洗、去胶工序排放 85 000 m³/h 有机废气，VOCs 200–800 mg/m³，主要成分为 IPA、丙酮、乙酸丁酯、MEA。
工艺路线：密闭收集→碱喷淋预处理→袋式除尘→疏水沸石转轮（10 倍浓缩）→三室 RTO（820 ℃，热回收≥95%）→35 m 排气筒。
核心装备优点：
沸石转轮采用高硅疏水分子筛，对醇醚类选择吸附率>92%，解析温度 220 ℃即可，比传统活性炭降低 30% 能耗；
RTO 炉体选用莫来石陶瓷蓄热体，抗 SiO₂ 微粉玻璃化，寿命由 3 年延长到 6 年；
高温烟气经板式换热器产 90 ℃热水，供 FAB 空调再热段，年节省天然气 25 万 Nm³。
运行效果：VOCs 排放≤15 mg/m³，非甲烷总烃去除率 98.7%，年削减 VOCs 320 t，全年运行费用与传统“活性炭＋催化燃烧”相比降低 35%，投资回收期 2.3 年。
案例二：华南某 8 英寸晶圆厂含氟废水零排放项目
背景：产能 3 万片/月，氟化物 600 mg/L、氨氮 120 mg/L、Cu 15 mg/L，排放限值 F⁻<1.5 mg/L、NH₃-N<5 mg/L。
工艺路线：分类收集→电磁絮凝除硅粉→钙盐＋PAC 二级除氟→Anammox 脱氮→臭氧催化氧化去 COD→双膜法 RO→浓水 MVR 蒸发→杂盐低温结晶。
核心装备优点：
电磁絮凝器磁场强度 0.8 T，使 50 nm 硅粉 3 min 内形成 0.5 mm 磁性絮体，硅粉回收率 95%，年回用硅料 42 t，价值 130 万元；
除氟段采用“氯化钙＋聚合硫酸铝”协同沉淀，F⁻ 可由 600 mg/L 降至 8 mg/L，污泥量较传统“单钙盐”减少 28%；
MVR 蒸发器选用双相不锈钢 2205，耐 F⁻ 腐蚀，二次蒸汽经水洗后回用于超纯水原水，系统水回收率 98.4%，实现“零液排”。
运行效果：出水 F⁻ 0.8 mg/L、NH₃-N 1.2 mg/L、Cu 未检出；年回收硅粉、铜盐副产品收益 210 万元，抵消运行费用 60%，三年收回全部投资。
案例三：华北某晶圆厂研磨粉尘与有机废气协同治理项目
背景：背面研磨车间粉尘 200 mg/m³（粒径 0.3 μm 占 60%），同时伴生非甲烷总烃 80 mg/m³；原有布袋除尘器出口粉尘 8 mg/m³，无法满足 Class 100 洁净度，且滤袋 2 个月即堵塞。
工艺路线：源头封闭→局部微负压→高效滤筒（PTFE 覆膜抗静电）→在线脉冲清灰→滤筒出口有机气并入沸石转轮→RTO。
核心装备优点：
滤筒选用 0.3 μm 级 PTFE 覆膜，初始效率 99.97%，运行 18 个月后阻力仅上升 180 Pa，寿命是原布袋 4 倍；
清灰系统采用“文丘里＋旋转翼”脉冲，喷吹压力 0.4 MPa，耗气量降低 25%，防止硅粉二次吸附；
收集的硅粉经稀 HF 酸洗去除金属杂质，烘干后纯度>99.9%，作为拉晶原料回用，年节省外购硅料 76 t。
运行效果：排气粉尘≤0.5 mg/m³，非甲烷总烃≤10 mg/m³；车间洁净度由 Class 1000 提升至 Class 100，芯片背面缺陷率下降 0.8%，年增收益 3200 万元，项目投资回收期 1.1 年。
通过上述案例可见，晶圆厂废水、废气、粉尘治理已从“达标排放”走向“资源回收＋能源回用＋产品级循环”，不仅彻底消除环境风险，还通过硅粉回用、热水回收、铜盐副产等方式，把环保项目转化为利润中心，为半导体行业绿色扩产提供了可复制的范式。
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