国家知识产权局信息显示，深圳市金誉半导体股份有限公司申请一项名为“一种大功率平面SiCMOSFET功率器件封装结构”的专利，公开号CN121419659A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种大功率平面SiCMOSFET功率器件封装结构，属于SiCMOSFET功率器件封装技术领域，包括支撑底座以及安装在支撑底座上的热压组件，支撑底座上安装有托举组件，托举组件上安装有收集组件，收集组件上安装有开启组件，热压组件上安装有升降组件，支撑底座上安装有下料组件，下料组件上安装有复位组件，热压组件上安装有打开组件。本发明通过设置液压伸缩杆，液压伸缩杆启动时能够带动连接板下降，连接板下降时能够带动热压板下降，当连接板下降时能够带动第二齿条下降，进而带动第一齿轮转动，第一齿轮转动时能够带动第一齿条上升，进而能够带动收集箱和箱盖上升，当主挤压块上升时，能够解除辅挤压块对主挤压块的挤压。

天眼查资料显示，深圳市金誉半导体股份有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本9438.8571万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市金誉半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息117条，此外企业还拥有行政许可51个。

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作者：情报员