国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器装置中的有源区域形成”的专利，公开号CN121419228A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本公开涉及存储器装置中的有源区域形成。可实施用以形成由浅沟槽隔离STI分开的相邻晶体管的工艺，其中在形成所述晶体管的栅极及源极/漏极之后形成所述STI。所述STI可使用掩模通过有源区域切割来形成以形成用于填充有STI电介质的矩形开口。使用在形成栅极堆叠及源极/漏极之后提供类矩形形状的有源区域掩模，可构造具有晶体管的存储器装置，所述晶体管通过与所述晶体管的有源区域具有最多50nm的凹陷的STI分开。

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作者：情报员