国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法”的专利，公开号CN121419234A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。半导体存储器装置包括：芯绝缘层；半导体结构，其包括在芯绝缘层的侧壁上的沟道部以及覆盖芯绝缘层的一个表面并且联接到沟道部的覆盖部；多个导电层和多个绝缘层，其围绕半导体结构的侧壁，多个导电层中的每一个和多个绝缘层中的每一个彼此交替；以及存储器层，其设置在多个导电层中的每一个和半导体结构之间。

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作者：情报员