国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司申请一项名为“晶体生长装置及结晶方法”的专利，公开号CN121407196A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种晶体生长装置及结晶方法，包括：主腔室；位于主腔室内的坩埚，用于容纳原料熔体，坩埚的开口上方与主腔室的内壁之间具有第一冷却区；籽晶杆，用于连接籽晶后与原料熔体的表面接触进行结晶生长；位于主腔室内的电阻加热器，设置于坩埚周围，用于加热坩埚；位于主腔室上方的副腔室，副腔室与主腔室之间设有活动隔板进行相互隔离或者相互连通，副腔室位于坩埚的上方作为第二冷却区；实现晶体生长模式和降温模式的切换，从而达到多晶硅、金属助溶剂和坩埚的重复使用，降低成本又能提高效率。

天眼查资料显示，北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目313次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息231条，此外企业还拥有行政许可149个。

江苏天科合达半导体有限公司，成立于2018年，位于徐州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本35000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏天科合达半导体有限公司参与招投标项目93次，专利信息131条，此外企业还拥有行政许可27个。

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作者：情报员