科磊申请四硼酸锶晶体的生长专利,可生长出具有高光学质量的大尺寸晶体
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国家知识产权局信息显示,科磊股份有限公司申请一项名为“四硼酸锶晶体的生长”的专利,公开号CN121420097A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,本发明提供一种用于生长四硼酸锶(SrB4O7)晶体的方法,其包括:提供包含SrB4O7的熔体;将籽晶与熔体接触;以及从熔体生长SrB4O7晶体。本发明还提供通过所述方法生长的SrB4O7晶体。本发明的方法可生长出具有高光学质量的大尺寸晶体。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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