国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“离子束检测装置及离子束检测方法、离子注入设备”的专利，公开号CN121416391A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请涉及一种离子束检测装置及离子束检测方法、离子注入设备。该离子束检测装置包括第二法拉第检测单元和处理单元。第二法拉第检测单元包括水平检测单元和竖直检测单元。水平检测单元用于在竖直检测单元沿竖直方向上下旋转至少一个检测周期时获取竖直检测单元的旋转位置及第三离子束波形；竖直检测单元用于在水平检测单元沿水平方向左右旋转至少一个检测周期时获取水平检测单元的旋转位置及第四离子束波形。处理单元与第二法拉第检测单元连接，被配置为分析第三离子束波形和/或第四离子束波形是否具有换向点，以响应于换向点对应的旋转位置确定离子束相对于目标晶圆的真实偏转角度。本申请用于准确测量离子束的真实偏转角度。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息356条，此外企业还拥有行政许可27个。

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作者：情报员